أعلنت شركة سامسونج اليوم الجمعة أنها طوّرت ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية DDR5 DRAM الأولى والأعلى سعة في الصناعة بسعة 32 جيجابت، وذلك باستخدام تقنية المعالجة من فئة 12 نانومتر. ويأتي هذا الإنجاز بعد أن بدأت سامسونج الإنتاج الضخم لذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية DDR5 DRAM بسعة 16 جيجابت من فئة 12 نانومتر في شهر أيار/ مايو […]
