أعلنت شركة سامسونج يوم الأربعاء عن تطوير ذاكرة وصول عشوائي DDR5 DRAM بسعة 16 جيجابايت، تمتاز بأنها الأولى في الصناعة المبنية على تقنية المعالجة من فئة 12 نانومتر، بالإضافة إلى استكمال موافقة شركة AMD عليها.
وقال نائب الرئيس التنفيذي للمنتجات وتقنيات DRAM، جويونج لي، في بيان إن ذاكرة الوصول العشوائي DRAM الجديدة بتقنية 12 نانومتر ستكون عامل تمكين رئيسي في دفع اعتماد ذواكر DDR5 DRAM على مستوى السوق.
وأضاف “لي” أنه من خلال الأداء الاستثنائي وكفاءة الطاقة، فإن سامسونج تتوقع أن تكون ذاكرتها الجديدة من نوع DRAM الأساس لعمليات أكثر استدامة في مجالات، مثل: الحوسبة من الجيل التالي، ومراكز البيانات، والأنظمة التي تعتمد على الذكاء الاصطناعي.
ومن جانبها، قالت AMD: “يسعدنا التعاون مرة أخرى مع سامسونج، لا سيما في تقديم ذاكرة DDR5 التي حُسِّنت وأُجِيزت لمنصات Zen”.
وأوضحت سامسونج أن هذه القفزة التقنية تحققت من خلال استخدام مادة جديدة عالية الجودة تزيد من سعة الخلية، وتقنية التصميم الخاصة بها التي تعمل على تحسين خصائص الدائرة الحرجة.
وإلى جانب الطباعة الحجرية بالأشعة فوق البنفسجية المتعددة الطبقات والمتقدمة، تتميز ذاكرة DRAM الجديدة بأعلى كثافة شرائح في الصناعة، الأمر الذي يتيح زيادة إنتاجية الشرائح بنسبة 20 في المئة.
وبالاستفادة من أحدث معايير DDR5، تعتقد سامسونج أن ذاكرة DRAM الجديدة من فئة 12 نانومتر ستساعد على الوصول إلى سرعات تصل إلى 7.2 جيجابت في الثانية، الأمر الذي يسمح بمعالج فيلمين بدقة UHD وبحجم 30 جيجابايت في ثانية واحدة فقط.
ويقابل السرعة الاستثنائية لذاكرة DRAM الجديدة كفاءة أكبر في استهلاك الطاقة، إذ إنها تستهلك طاقة أقل بنسبة تصل إلى 23 في المئة مقارنةً بالجيل السابق من ذاكرة DRAM، وستكون ذاكرة DRAM من فئة 12 نانومتر، وفقًا لسامسونج، حلًا مثاليًا لشركات تقنية المعلومات العالمية التي تسعى إلى المزيد من العمليات الصديقة للبيئة.
ومع بدء الإنتاج الشامل في عام 2023، تخطط سامسونج لتوسيع مجموعة DRAM الخاصة بها المبنية على تقنية المعالجة المتطورة من فئة 12 نانومتر لتشمل مجموعة واسعة من قطاعات السوق حيث تواصل العمل مع شركاء الصناعة لدعم التوسع السريع في الجيل التالي من الحوسبة.
