منذ حصول ذاكرة عرض النطاق الترددي العالي (HBM) على اعتماد منظمة JEDEC – المسئولة عن وضع المواصفات الرسمية للذواكر – رأينا أول رقاقةٍ من هذه الذاكرة في عام 2013 المصنوعة من قبل شركة SK Hynix.
بعد الجيل الأول وصل لنا الجيل الثاني HBM2 في عام 2016 ثم في عام 2018 طرأ تحديث على الجيل الثاني لتعتمد الشركات المصنعة على ذاكرة HBM2E، بعد ذلك تم الاعتماد على ذاكرة HBM3 التي أطلقت في عام 2020 ووصلت النسخة المحدثة منها HBM3E في عام 2023.
تم الاعتماد على ذاكرة عرض النطاق الترددي العالي (HBM) بشكلٍ أساسي نحو تسريع الحوسبة عالية الأداء (HPC) وقد تم استخدامها من قبل شركاتٍ كبيرة مثل إنفيديا و AMD مع عددٍ من المعالجات الرسومية.
اليوم أعلن العملاق الكوري سامسونج عن وصول الشركة لمرحلةٍ متطورة مع ذاكرة HBM4 لترفع مستوى الأداء نحو مرحلةٍ جديدة. هذا التصريح كان من خلال السيد سانغ جون هوانغ نائب الرئيس التنفيذي ورئيس فريق منتجات DRAM في سامسونج. في الوقت نفسه تؤكد سامسونج أنها ستزود عملائها بذاكرة HBM3E قريبًا التي تتميز بمعدل نقل بيانات 9.8 / ثانية وعرض نطاقٍ ترددي يصل إلى 1.25 تيرابايت/ ثانية لكل حزمة، لخدمة النظام الإيكولوجي للذكاء الاصطناعي والحوسبة عالية الأداء.
يؤكد سانج ضمن تصريحه على دمج تقنيات الخصائص الحرارية العالية بما في ذلك تجميع الرقائق غير الموصلة (NCF) والترابط النحاسي الهجين (HCB) حيث يوفر الترابط الهجين حلاً يتيح عرض نطاقٍ ترددي أعلى وزيادة الطاقة وسلامة الإشارة وتحسين إمكانيات التكديس للحزمة الواحدة كما هو الحال مع إصدار الحزمة 16-Hi.
موضوعات ذات صلة بما تقرأ الآن:
إضافةً إلى المزايا القادمة إلى ذاكرة HBM4 التي ستشمل واجهة ذاكرة 2048 بت لكل حزمة بدلًا من 1024 بت للحزمة الواحدة مع ذاكرة HBM3، نحن نتحدث عن تحقيق 2 تيرابايت / ثانية لكل حزمة بدلًا من 1.2 تيرابايت / ثانية لكل حزمة مع ذاكرة HBM3E.
تجميع الرقائق غير الموصلة (NCF) هي عبارة عن طبقة بوليمر مصممةٌ لحماية TSV، و TSV هي تقنية تُربط فيها الرقاقات العلوية والسفلية من خلال آلاف الثقوب الدقيقة لتقوم بإيصال البيانات، والأوامر، والتيارات من خلال مساراتٍ بشكل أعمدة لتخترق كامل سماكة شريحة السيليكون بعد تكديس رقاقات DRAM متعددة فوق بعضها البعض على الرقاقة العازلة؛ مما ينتج عنها سرعة نقلٍ عالية وربطٍ مثالي بين الرقاقات المكدسة.
هذه العملية تؤدي إلى تقليل الحجم بنسبة تصل إلى 30% وتقليل استهلاك طاقة يصل إلى 50% بفضل طريقة تغليف الحزمة الخاصة بالرقاقة. واستكمالًا لذلك، فإن تقنية HCB التي تستخدم الموصلات النحاسية وعوازل من طبقاتٍ رقيقة بدلاً من اللحام التقليدي، ستكون فعالةً في تضييق الفجوة مما يجعلها قادرةً على الوصول إلى واجهة ذاكرة 2048 بت.
إعلان سامسونج أشار إلى جدولٍ زمني واضح لإطلاق ذاكرة HBM4 في عام 2025، لكن تُشير التوقعات أن تبدأ مرحلة الإنتاج بكمياتٍ كبيرة بين عامي 2025 و 2026 كما هو الحال مع شركة ميكرون التي تستعد لتقديم إصدارها الخاص من هذه الذواكر تحت إسم (HBMNext) في نفس الفترة ضمن تشكيلةٍ من السعات المختلفة.
