وفقًا لمصادر نقلتها وكالة رويترز، تستعد شركة سامسونج للانتقال إلى تقنيات إنتاج جديدة باسم (MR-MUF)، وهي التقنية التي تتفوق بها شركة SK Hynix على جميع منافسيها في صناعة رقاقات ذاكرة HBM.
واستند التقرير الحصري لوكالة رويترز إلى ادعاءات من خمسة مصادر محلية، إذ تعتقد هذه المصادر أن سامسونج تتخذ هذه الخطوة بسبب ضعف إنتاج رقاقات ذاكرة عرض النطاق الترددي العالي (HBM). ويشير التقرير إلى أن سامسونج بصدد طلب معدات جديدة متعلقة بتقنية MR-MUF.
ويقترح التقرير أن واحدًا من أسباب تأخر سامسونج، عن الشركات الصانعة المنافسة، هو قرارها بالتمسك بتقنية تصنيع الرقاقات (NCF) مما أدى إلى بعض المشكلات في عملية الإنتاج، في حين انتقلت شركة SK Hynix إلى طريقة إنتاج أحدث تعتمد على تقنية (MR-MUF) لمعالجة نقاط ضعف تقنية NCF.
وصرح مصدر مجهول لوكالة رويترز قائلًا: “كان على سامسونج أن تفعل شيئًا ما لتعزيز إنتاج رقاقات ذاكرة HBM الخاصة بها. ويعد اعتماد سامسونج على تقنية MR-MUF دليلًا على أن تطورها مرهون بغيرها، إذ ستضطر إلى اتباع تقنية ابتكرتها شركة SK Hynix المنافسة لها”.
وتشير الأرقام إلى أن عائد إنتاج رقاقات ذاكرة HBM3 لشركة سامسونج بلغ نسبة ضعيفة تتراوح بين 10% و 20% فقط، في حين حققت منافستها الكورية SK Hynix نسبة إنتاج تصل إلى 70%.
وتمكنت وكالة رويترز من الحصول على رد من شركة سامسونج إذ صرح أحد المتحدثين باسم الشركة قائلًا: “نحن ننتج رقاقات ذاكرة HBM3E وفقًا للخطة”.
وبعد نشر التقرير من وكالة رويترز، صدر رد رسمي آخر من سامسونج مفاده أن انتقال سامسونج إلى تقنية MR-MUF في إنتاج رقاقات ذاكرة HBM مجرد شائعات.
ومع ذلك، تزعم ثلاثة مصادر مطلعة على الوضع الداخلي للشركة أن سامسونج تخطط لاستخدام تقنيتي NCF و MR-MUF في إنتاج رقاقات ذاكرة HBM من الجيل الجديد.
تابعنا
